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그림 그렸어요....

간단하게 Gate를 반대방향으로 연결해 주면 동작하고요.

만약 조금 더 효율이 좋게 하려면 Gate 입력단에 200K ~1M ohms 저항 붙혀 주시면 좋아집니다.

다이오드 그림은 FET 등가로 그린 것 입니다. 같은 동작한다란 의미로...

근데 정작 저는 모든 게 귀찮아서 GND에 그냥 일반 다이오드 처리만 해놨다는...크하하하하

"아는거하고 구현하는거는 틀리다 - 귀차니스트는 귀차니스트일뿐~"



>.
>2007-12-17 에 이어 2번째, 이번엔 그림으로만 대부분 설명~~
>
>케논 배터리전압(8v)을 만들어 놓고, 절연이 마음에 걸렸습니다. 정상상태이건, 비 정상상태(역극성, 출력쇼트, 전원과방전)에서도
>
>충분히 버티지만, 요놈이 장작되어 주변의 친구들과 어지럽게 놀다보면, 걱정이 되긴 합니다.
>
>다 됐다고, 콜 하기가 찝찝해서, 요며칠간 8v를 절연방식으로 만들어 볼까 검토를 해 봤었지요.
>
>뭔 말이냐면, 12v 자동차배터리에서 전기를 빼서 8v전기를 만들지만, 이렇게 해서 만든 전기(8v)는
>
>자동차배터리에서 전선으로 전기가 이동이 안되고, 공간으로 전기가 이동이 된다는 겁니다^^
>
>전기->자기->전기로 변환을 시킵니다. 그러니까 "전자기"라고 하지요. 자기로 변화될때에는 도선을
>
>이용하지 않으니까 절연이 되는 겁니다. -- 이만 고문 끝~~
>
>그런데 이게 좀 복잡합니다. 쉽게 만들수 있는 부품도 판매되지 않고, 다들 여러 부품을 가지고 설계해야지요.
>
>그렇지만 찝찝한게 남아 있어서, 벌브케이블쪽을 절연방식으로 변경 했습니다. 벌브케이블의 절연 방식은(포토커플러)
>
>tr 방식보다 효과적이고 안전합니다. tr방식이나 포토커플러방식은 모두 공지의 기술이며, 공개되어 있습니다.
>
  • 한호진 2008.01.23 13:20
    이젠 욕을 그림으로 하는군요...쩝...
    그런데 듣도보도 못한 욕이 8개나 더 있군요.헐!!!
  • 홍두희 2008.01.23 13:34
    +,-를 잘못연결했을때 와 재대로 연결했을때를 분리해서 생각한다면,
    주의하세요 이 경우에는 "(***배터리를 같이 쓰는 외부기기(BULB등) 연결일경우***)" 입니다.
    단독으로 사용하는 기기는 8가지 방법 모두 다 역전압 접속으로 부터 보호받습니다^^

    A)+,-전원을 잘못연결했을때 또는 +전원만 기기의 -단자에 연결했을때.
    좌1-BULB쪽으로 부터 기기에는 -전압공급, -입력단자로부터는 역극성 +전압공급 ==>기기에는 역전압 인가 -쑛트 - NO
    우1-BULB쪽으로 부터 기기에는 -전압공급, -입력단자로부터는 역극성 +전압공급 ==>기기에는 역전압 인가 -쑛트 -NO
    좌2-OK
    우2-OK
    좌3-OK
    우3-OK
    좌4-브리지다이오드의 4사분면에 있는 다이오드로 -전류가 흐르지 않고, BULB GND쪽으로 기기의 모든 -전류가 흐름.-semi no.
    우4-FET Q5로 -전류가 흐르지 않고, BULB GND쪽으로 기기의 모든 -전류가 흐름.-semi no

    B)+,-전원을 정상연결했을때
    좌1-OK
    우1-OK
    좌2-다이오드로 -전류가 흐르지 않고 BULB쪽으로 모두 흐름 -semi no.
    우2-FET로 -전류가 흐르지 않고 BULB쪽으로 모두 흐름 -semi no.
    좌3-D4 다이오드로 -전류가 흐르지 않고 BULB쪽으로 모두 흐름 -semi no우3-Q4 FET로 -전류가 흐르지 않고 BULB쪽으로 모두 흐름 -semi no
    좌4-브리지다이오드의 3사분면에 있는 다이오드로 -전류가 흐르지 않고, BULB GND쪽으로 기기의 모든 -전류가 흐름.-semi no
    우4-FET Q7로 -전류가 흐르지 않고, BULB GND쪽으로 기기의 모든 -전류가 흐름.-semi no

    ㅋㅋㅋㅋ, 지금까지의 결론은????? ㅎㅎㅎㅎ
  • 김준호 2008.01.23 14:24
    아...이해가 안되네요.
    왜 BULB쪽으로 흐른다고 생각하시는지 다시 한번 설명해 주시겠습니까? 물론 한쪽 전원만 넣을 경우 약간의 리키지 커런트가 발생하는 건 이해하지만 그 정도로 기기가 파괴되지는 않는다고 보는데요.

    인터넷으로 찾아보니 악기 이펙터 연결에 많이 사용되고 있더군요. 이펙터 연결 장난아니게 문어발식이고, 대부분 DC9V 문어발 전원을 사용하지요(단일 밧데리와 같음). 근데 아무 문제들 없이 사용하고 있던데...
  • 홍두희 2008.01.23 15:29
    1.노트북이 외부 배터리에 연결되어 있습니다.
    2.노트북의 씨리얼포트 5번은 GND단자니까 씨리얼포트 5번은 외부 배터리의 -(GND)전위입니다.
    3.카메라의 TR방식의 벌브짹과 노트북의 씨리얼을 연결합니다.
    4.카메라벌브 의 COMMON 단자에는, 외부 배터리의 -단자에서 ->노트북의 GND,노트북의 씨리얼포트 #5(GND,-)를 거쳐서 -(GND)가 걸려있습니다.
    5.카메라용 12V->8V 인버터(비절연 TYPE, 입력12V의 -단자와 출력 -단자는 같은 연결)의 -입력단자는
    카메라용 벌브단자의 COMMON 단자와 같은 전위입니다(COMMON은 GND니까)
    이때에 인버터의 -단자에 외부 배터리가 +로 연결되면, 벌브의 COMMON단자도 +로 외부 배터리전압이
    걸리게 되고, "*** 바로위 4번의 마지막줄인 "-(GND)가 걸려있습니다 ***" 때문에 쑈트가 나지요.

    그리고 semi-no 의 경우에는, 같은 -단자(gnd)전위라도 POWER 용과 signal용이 있는데(용도로) 벌브쪽은 씨그널용, 브리지나 정전압쪽은 파워용이지요. 씨그날쪽으로 저항이 작아서 전류가 흐르게 되면, 타던지 발진이 나던지하지요. dslr카메라에서 전원쪽은 약 0.3A 에서 1A 로 전류가 흐르고, 벌브쪽은 0.001A 이내로 흐를겁니다. 이걸 변경하게 되면 문제가 즉시 있지만 그 결과는 천천히 나타나지요^^

    문어발식으로 하면 아무문제 없습니다. 제가 앞의 답글의 머리에 쓴것처럼 문어발식이던, 개별전원식이던 아무문제가 없지요. 내장 배터리를 써도(확실한 전원절연) 문제없고, AC 어뎁터(이건 전부 전원절연)를 아무리 많이써도 문제가 없지요. 요점은 1기기와 2기기가 같은 전원을 공유하고(비절연으로 공유) 통신을 위한 연결선으로 연결될때에 그 잘못된 공유가 발생하면(한쪽만 역극성) 연결선 때문에 오류를 일으키고 치명적이라는 거지요.
  • 김준호 2008.01.23 17:05
    에궁...제가 이해가 안되는 것은 위에 쇼트나는 현상을 모르겠다고 한 것이 아니고요.

    Polarity protect 중 -단에 다이오드(FET) 가 있는 모델들 (위 그림 중 2번, 3번)은 GND로 +전원이 들어갈 수가 없기 때문에 문제가 없다는 것은 이해가 됩니다.

    4번에서 마이너스 전원이 안흐른다고 설명하신 부분이 이해가 안되는 것입니다.

    정상연결일 경우
    1/4분면 다이오드(Q6 FET)로 +전류가 3/4분면 다이오드(Q7 FET)로 -전류가 흐름.
    역으로 연결일 경우
    4/4분면 다이오드 (Q8 FET)로 +전류가 2/4분면 다이오드(Q5 FET)로 -전류가 흐름.

    정상 연결을 했을 때에도 다이오드로 전류가 안흐른다고 하셨는데 그것을 이해 못하겠다고 쓴건데요.

    그리고 Signal GND로 전류가 세는 것은 문제가 안됩니다. 자기 한도 이상으로 흐르게 되면 임피던스가 증가하고 그러면 더 이상 전류가 흐르지 못하고 정상적인 GND로 갈 수 밖에 없는 것으로 알고 있는데요.

    음 잘못생각하고 있는 건가???? 헤롱~
  • 홍두희 2008.01.23 17:55
    카메라내에서, 벌브쪽의 gnd(common)와 다이오드를 지난 gnd 사이의 연결배선(pcb패턴)이 가늘어서 0.5오옴이라고 심하게 과장하고(충분히 그럴수 있음. 일부폭이 짧게 0.15mm 패턴으로 가면), 기기가 1A 전류를 먹는다면, 패턴에의 전압강하는 0.5V, 그리고 패턴에서 발생하는 열은 1A X 1A X 0.5오옴 = 0.5와트, 크지요, 전원용 쇼트키다이오드도 0.5V 전후에서 ON 되기때문에 패턴에선 감당하기 힘들지요, 만약 패턴이 0.1오옴이고, 전류가 3A 나 되어서 모든전류가 다이오드로 통한다면, 패턴 0.1오옴과 다이오드순방향전압 0.5V 가 병렬로 연결되어 있는것이기 때문에 패턴 0.1오옴은 (0.5V X 0.5V)/0.1오옴 = 25와트라는 계산이 나오지요~~ 물론 이렇게 되기까지는 다른 변수가 있지만요.

    "자기 한도 이상으로 흐르게 되면 임피던스가 증가하고"-> 임피이던스는 조금(열에따른 정특성 저항특성,-273도 기준 선형증가)늘어나고, 전압강하가 비래해서 늘지요.
  • 김준호 2008.01.23 18:36
    전압강하가 늘어난 다는 것이 열저항이 늘어나는 것이고, 임피던스에 열저항까지 포함해서 말씀드린 것인데요. 용어 선택이 잘못되었군요.

    그리고 시그널 GND 처리를 해도 0.15mm는 너무 가는데요. 보통은 copper fill처리 하지 않나요? 단면 PCB라고 할지라도 그건 잘못된 Layout인데요...허용전류 3A, 도체 두께가 35마이크로라면 선폭 2.2mm로 알고 있습니다.(온도변화 10도이내) - 그냥 외우고 있는 내용...힝T___T

    아무튼 전원과 GND는 2~3mm이상으로 배선하면 저항 문제는 별로 없을 것으로 보여지는데 아닌가요? 쇼트키다이오드의 턴온저항이 문제가 되니깐 더 낮은 FET를 사용하는 것이고요.

    FET는 턴온은 무조껀 되는 것이고, Rds값도 요즘은 수밀리오옴제품도 나오고 높아도 수십밀리제품들도 소매로 몇백원이면 살 수 있던데요.

    아...근데 정말 끝이 안나네...이젠 PCB까지 분석을 해야 한다니...쩝...
    아무튼 두껍게 만들어요...그리고 Rds작은 거 쓰면 별로 문제 안생길 것 같네요...ㅋㅋㅋㅋ

  • 홍두희 2008.01.24 09:02
    그레게,
    그런데 이 논의의 시작은 기존에 있는것을 사용하는 조건(황금박스가 그러니까)에서 1.전원장치(12v->8v)와 2.벌브쪽 접지의
    문제를 보완하는 것이었었죠. 지금 아주 많은 아마추어가 주렁 주렁 전원을 같이쓰고, 그물망처럼 data선이 있으니까요.
    새로 만든다면 전원을 꺼꾸로(기기 1,2,가 서로 다르게) 절대로 안되게 만들수도 있으니까요. 시그널쪽은 보통 배선을 아주 가늘게 하죠(카메라등을 까보면 필름케이블같은거로도 가니까)-이런 현재의 카메라가 걱정이 되는 것이죠^^-호기심이 저보다 많은 분은 벌브를 연결하고, 카메라의 인버터쪽 전원을 1선만 반대로 (외부배터리는 +, 카메라팩쪽은 -)을 연결해 보세요^^<망가지면 제말이 맞는거고, 안망가지면 제말이 틀린거고 ㅋㅋㅋ>

    김준호님, 재미 있었어요~~~ 라라라라라.
  • 유종선 2008.01.24 10:36
    와~~ 진짜 멋진 토론입니다. 보기 좋습니다.

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